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更新時間：2025-09-18

快訊播報

鉬銅棒密度快訊

2024-12-12 10:29

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇永昊高強度螺栓有限公司申請一項名為“一種航天領(lǐng)域極低溫度下緊固件用鈦合金及其工藝”的專利，本發(fā)明涉及鈦合金技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種航天領(lǐng)域極低溫度下緊固件用鈦合金及其工藝，包括以下重量份數(shù)配比的原料：鈦100?40份、復(fù)合材料10?30份、鋁20?50份、鋼5?20份，所述鈦100?40份使用β鈦，且鈦粉的含有率占比為緊固件含量的45％左右，所述復(fù)合材料10?30份使用碳纖維材料，且碳纖維材料在高溫環(huán)境下由1000度以上的惰性氣體內(nèi)部制造，且碳纖維含碳量在95％以上，所述鋁20?50份占比為緊固件含量的27％左右，且鋁材料生產(chǎn)時添加少量鋯、釩、鎢和鉬等元素。該航天領(lǐng)域極低溫度下緊固件用鈦合金及其工藝，在對緊固件進(jìn)行制造生產(chǎn)時，在緊固件的內(nèi)部添加碳纖維材料，降低了緊固件的密度，提升了緊固件的耐高溫及耐疲勞性，節(jié)約了成本。

2024-07-12 15:17

三星宣布正式量產(chǎn)第9代V-NAND閃存，首批生產(chǎn)的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，相比上一代產(chǎn)品，單位面積存儲密度提高了約50%，同時功耗降低了10%。三星還引入了新的技術(shù)，避免單元干擾并延長單元壽命，同時取消備用通道孔大幅減少了存儲單元的平面面積。三星在第9代V-NAND閃存的生產(chǎn)中，在金屬化工藝過程中使用了鎢，另一種則使用了鉬（Mo）。目前行業(yè)內(nèi)使用鎢來降低層高已達(dá)到極限，換成鉬可將層高再降低30%至40%，而且還能降低NAND的延遲。三星決定更多地使用鉬，意味著NAND材料價值鏈將發(fā)生一些變化。


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