[隆眾聚焦]:商務(wù)部:禁止/限制這些新材料技術(shù)出口
1. 可在2273K(2000℃)以上高溫條件下使用
2. 密度在100~300kg/m3之間
3. 壓縮強度在0.1~1.0MPa之間
4. 撓曲強度≥1.0MPa
5. 碳含量占總固體的99.9%以上
2. 稀土金屬及合金材料的生產(chǎn)技術(shù)
3. 釤鈷、釹鐵硼、鈰磁體制備技術(shù)
4. 稀土硼酸氧鈣制備技術(shù)
(1)抗靜電≥2,500V,抗瞬時劑量率>1×10?11?rad(Si)/s的CMOS/SOS〔藍寶石上外延硅/互補型金屬氧化物半導(dǎo)體〕器件制造技術(shù)
(2)抗靜電≥3,000V,抗瞬時劑量率>1×10?11?rad(Si)/s的雙極器件制造技術(shù)
同時滿足以下條件的電池用磷酸鐵鋰制備技術(shù)
飛機輪胎制造技術(shù)
2.?連續(xù)SiC(碳化硅)纖維生產(chǎn)技術(shù)
3.?具有下列特征的碳纖維制品加工技術(shù)
(1)細編穿刺織物技術(shù)
(2)三向錐體織物技術(shù)
4.?氮化硼(BN)纖維防潮涂層制備技術(shù)
5.?氧化鋯纖維隔熱材料制備技術(shù)
6.?化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備碳化硅(SiC)纖維技術(shù)
2.?超長(>250mm)鈮酸鋰晶片的制作方法
(1)長度>280mm,直徑>40mm鈮酸鋰晶的生長技術(shù)
(2)長度>250mm,鈮酸鋰單晶片精加工技術(shù)
3.?長度>180mm的硅酸鉍(BSO)、鍺酸鉍(BGO)單晶生長工藝及晶片加工技術(shù)
4. 75-3水溶性光致抗蝕掩孔干膜制備工藝
5.?制造自泵浦相位共軛器(SPPCM)用鎢青銅光析變單晶生長工藝
6.?鈮酸鉀(KNbO3)晶體的原料處理技術(shù)和生長工藝
7.?磷酸氧鈦鉀(KTP)晶體生長控制技術(shù)
8.?具有下列性能的抗輻射人造水晶生長工藝
(1)品質(zhì)因數(shù)(Q)值≥3×106
(2)包裹體級別不低于IECI(國際電工技術(shù)委員會)的A級
(3)鋁(Al)含量≤1ppm
(4)腐蝕隧道密度≤10條/cm2
9.?稀土-鐵(Tb-Dy-Fe系)超磁致伸縮單晶材料的制備技術(shù)
10.?四硼酸鋰、三硼酸鋰(LBO)晶體的生長工藝
11.?摻釹硼酸鋁釔(NYAB)晶體的生長工藝
12.?鈦酸鋇鍶(SBT)晶體的生長工藝
13.?偏硼酸鋇(BBO)晶體的生長工藝
14.?硼鈹酸鍶(SBBO)晶體的生長工藝
15. KBBF晶體生長與棱鏡耦合器件加工技術(shù)
16.?硅酸釔镥(LYSO)晶體生長工藝
17.?溴化鑭(LaBr3:Ce)晶體生長工藝?
2.?用于高壓容器(壓力≥25MPa)的纖維增強樹脂基耐燒蝕、隔熱、防熱、復(fù)合材料生產(chǎn)技術(shù)
3.?容重1.5~1.7g/cm2,燒蝕率≤0.22mm/s的纖維增強樹脂基耐燒蝕復(fù)合材料生產(chǎn)技術(shù)
4.?熱熔法工藝中樹脂基體配方
2.?軍用隱身材料的配方及生產(chǎn)技術(shù)
3.?耐溫≥2000℃的發(fā)散(汗)冷卻材料的配方及生產(chǎn)技術(shù)
2.?通過離子交換法、樹脂法等方法從氧化鋁母液中提取金屬鎵的技術(shù)和工藝
4.?同時具有下列特性的高溫超導(dǎo)線、帶制造技術(shù)
(1)臨界溫度>77K,長度>100m,臨界電流密度>1×104?A/cm2(在77K,自場強下)
5.?同時具有下列特性的高溫超導(dǎo)薄膜制造技術(shù)
(1)臨界溫度>77K,面積>5cm2,臨界電流密度>1×10?6?A/cm2(在77K,零場強下)
6. 稀土的采礦、選礦、冶煉技術(shù)(已列入禁止出口的技術(shù)除外)
7. 稀土萃取劑的合成工藝及配方
8. 金屬材料的稀土改性添加技術(shù)
?非晶材料的卷取技術(shù)
(1)硬質(zhì)耐沖擊材料制備技術(shù)
(2)納米級晶粒制備技術(shù)
(1)稀土-硼共滲劑配方
(2)稀土-硼共滲處理工藝
2. 稀土、碳、氮共滲和稀土、碳共滲的配方及工藝
3. 裝載機斗齒材料的配方及熱處理工藝
(1)WC-Co(碳化鎢-鈷)亞微米級粉末制備技術(shù)
(2)WC-Co(碳化鎢-鈷)亞微米晶粒復(fù)合材料制備技術(shù)
2.?纖維增強鋁基復(fù)合材料的制備技術(shù)
3.?超混雜鋁基復(fù)合板的制備技術(shù)
(1)竹材改性工藝
(2)改性竹材增強鋁復(fù)合工藝
(3)維尼綸增強鋁復(fù)合工藝
4.?化學(xué)氣相滲制備復(fù)合材料技術(shù)
2.?下列大中型薄壁變曲面鑄件電渣熔鑄技術(shù)
(1)非穩(wěn)定狀態(tài)下各種溫度場的確定
(2)構(gòu)造電渣熔鑄變曲面構(gòu)件的軟件包
(1)波紋成型工藝
(2)轉(zhuǎn)筒旋壓工藝及表面處理工藝
(3)轉(zhuǎn)子裝配、調(diào)試工藝
2.?金屬離心機上、下阻尼器制造技術(shù)
(1)上阻尼殼體成型工藝
(2)裝配調(diào)整工藝
(3)上、下阻尼結(jié)構(gòu)參數(shù)、性能參數(shù)檢測原理、方法及所用實驗測試裝置
2.?三環(huán)式減速(或增速)傳動裝置制造技術(shù)
(1)設(shè)計參數(shù)的選擇
(2)制造工藝技術(shù)
1. 不含鉭的鎳基合金鑄造與加工
2. 用于工作溫度≥850℃的表面防高溫腐蝕涂層,壽命≥10,000h
2. 3D打印用耐高溫纖維樹脂材料及其同步固化工藝等
2. 淺吃水及超淺吃水肥大型船技術(shù)
3. 氣墊船的圍裙技術(shù)
4. 沖翼艇船型設(shè)計與試驗技術(shù)
5. 氣翼艇船型的技術(shù)
6. 噴水推進動力設(shè)計技術(shù)與噴水推進快速性預(yù)報技術(shù)
7. 內(nèi)河推輪、拖輪〔1.1≤(螺旋槳直徑/吃水)≤1.4〕倒車舵、導(dǎo)管舵、襟翼舵推進操作系統(tǒng)技術(shù)
8. 內(nèi)河船舶〔1.1≤(螺旋槳直徑/吃水)≤1.4〕艉型流場技術(shù)
9. 船舶螺旋槳整流轂帽技術(shù)
(1)消除轂帽空泡技術(shù)
(2)轂形、小葉翼型剖面設(shè)計方法
10. 船舶油水分離技術(shù)
(1)所含稀土元素的種類與含量及加入稀土元素的方法
2. 含鎢(W)同時含鉿(Hf)量1.5%~2.5%的定向凝固高溫合金生產(chǎn)技術(shù)
(1)合金成分的選擇與控制
(2)冶煉工藝和定向結(jié)晶工藝
(3)熱處理工藝流程及規(guī)范
3. 多極各向異性鑄造磁鋼的生產(chǎn)技術(shù)
(1)制造工藝
(2)測磁技術(shù)
4. 單晶渦輪葉片連接用中間層合金的制備技術(shù)
(1)Ni-Co-Cr-W-Hf(鎳-鈷-鉻-鎢-鉿)系合金的成分
(2)中間層合金的制備工藝
(1)使用溫度>250℃
(2)800℃明火≥1.5h不燃燒
(3)耐電壓≥2,500V
2.?核電站用對稱射頻電纜的制造工藝
3.?導(dǎo)電用稀土鋁導(dǎo)線的配方和制造工藝
4.?高速擠出聚氯乙烯電纜料的配方
5.?核電站用電力、控制和儀表電纜的制造工藝
6.?高溫(120℃)鋁護套潛油泵電纜的制造技術(shù)
(1)超倍頻程寬帶(相對帶寬≥70%)小型化隔離器設(shè)計及制造工藝
(2)極窄鐵磁共振線寬△H<2奧斯特的鐵氧體材料配方及制備工藝
(3)超寬帶(相對帶寬≥70%)匹配技術(shù)及寬溫(-55℃~+125℃〕補償技術(shù)
2.?寬帶(2~8GHz)懸置帶線頻分器設(shè)計技術(shù)及制造工藝
3.?壓電陀螺敏感器件制造技術(shù)
(1)支撐系統(tǒng)的設(shè)計與制造工藝
(2)壓電換能器的貼接工藝
(3)金屬振梁的結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝及熱處理技術(shù)
(4)校零系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計及組裝技術(shù)
(5)校零信號處理技術(shù)
4.?聲表面波器件設(shè)計技術(shù)
(1)聲表面波濾波器(頻率>2GHz,帶外抑制>70dB,插入衰耗<1.5dB)
(2)聲表面波抽頭延遲線(碼位>1023位,工作頻率>600MHz)
(3)聲表面波卷積器(碼位>1023位,工作頻率>600MHz)
(4)聲表面波固定延遲線(頻率>2GHz,延遲時間>300μs)
(5)聲表面波色散延遲線(頻率>500MHz,時帶積>10000,旁瓣抑制>32dB)
(6)聲表面波脈壓線(旁瓣抑制>32dB,二階雜波信號模擬計算技術(shù),副瓣抑制加權(quán)補償方法,相位誤差補償技術(shù))
5. 聲表面波器件制造技術(shù)
(1)組合技術(shù)
(2)匹配技術(shù)
(3)大面積(220mm×20mm)光刻技術(shù)
6. 駐波加速管耐回轟電子槍設(shè)計及制造技術(shù)
7. 多注速調(diào)管設(shè)計及聚焦技術(shù)
8. 離子束處理改善柵網(wǎng)電子發(fā)射技術(shù)
(1)Cr-Ni-Ag(鉻-鎳-銀)金屬阻擋層燒結(jié)技術(shù)
(2)SiO2(二氧化硅)和Si3N4(氮化硅)絕緣膜門極形成工藝
2.?導(dǎo)電電阻<2Ω的二極管制造技術(shù)
3.?單晶發(fā)光屏用原材料配備技術(shù)和外延技術(shù)
2.?遠場渦流測試探頭的設(shè)計與制造技術(shù)
(1)10.6μm處光損耗<1dB/m的玻璃光纖的成份及制備技術(shù)
(2)10.6μm處光損耗<0.5dB/m的晶體光纖制備技術(shù)
(3)10.6μm處光損耗<1dB/m的空芯光纖制備技術(shù)
2. 雙坩堝的制造及20孔坩堝拉制光學(xué)玻璃纖維技術(shù)
3. 光纖拉絲被覆流水線技術(shù)的工藝參數(shù)
4. 可編程數(shù)字鎖相頻率合成技術(shù);DDS+PLL跳頻信號源
2. 衛(wèi)星姿態(tài)控制推力器催化劑的配方及生產(chǎn)工藝
2. 空間環(huán)境專用器件設(shè)計和工藝、評價方法和設(shè)備、空間潤滑方法和潤滑件;
3. 高分辨率合成孔徑雷達技術(shù)的總體技術(shù)方案和主要技術(shù)指標;
4. 高分辨率可見光、紅外成像技術(shù)的總體方案及指標;
5.?毫米波、亞毫米波天基空間目標探測技術(shù)的總體方案及指標
2.?無人機制造中所涉及的慣性測量單元、傾角傳感器、大氣監(jiān)測傳感器、電流傳感器、磁傳感器、發(fā)動機流量傳感器等集中類型傳感器的關(guān)鍵技術(shù)
3.?電磁干擾射線槍等反無人機技術(shù)
4.?無人機任務(wù)載荷關(guān)鍵技術(shù)(光電/紅外傳感器、合成孔徑雷達及激光雷達的制造技術(shù)等)
5.?無人機飛行控制系統(tǒng)(自主導(dǎo)航、路徑及避障規(guī)劃等相關(guān)的算法及軟件)
2.?液氫高速(>4萬轉(zhuǎn)/分)軸承試驗機設(shè)計技術(shù)
(1)主軸低溫(低于-240℃)變形控制技術(shù)
(2)熱傳導(dǎo)及熱隔離技術(shù)
(3)加載系統(tǒng)
(1)離子束輔助蒸發(fā)工藝
(2)離子束斑合成技術(shù)
2.?制作坩堝用F1強化鉑的成份及其制作技術(shù)
2.?字符式漢字顯示控制器的設(shè)計、制造工藝
3.?計算機中文系統(tǒng)的核心關(guān)鍵技術(shù)
4.?工程圖紙計算機輔助設(shè)計(CAD)及檔案管理系統(tǒng)光柵/矢量混合信息處理方法
5.?中文平臺技術(shù)(中文處理核心技術(shù))
6.?信息存取加、解密技術(shù)
7.?中譯外翻譯技術(shù)(機器翻譯系統(tǒng)得分>4.5分)
8.?少數(shù)民族語言處理技術(shù)
9.?漢語及少數(shù)民族語言的語音識別技術(shù)
10.?漢字壓縮、還原技術(shù)
11.?印刷體漢字識別技術(shù)、程序結(jié)構(gòu)、主要算法和源程序
12. Videotex(可視圖文)系統(tǒng)的漢字處理技術(shù)及網(wǎng)間控制技術(shù)
13.?具有交互和自學(xué)習(xí)功能的脫機手寫漢字識別系統(tǒng)及方法
14.?用于計算機漢字輸入識別方法中的手寫體樣張、印刷體樣張以及漢語語料庫
15.?漢字識別的特征抽取方法和實現(xiàn)文本切分技術(shù)的源程序
16.?漢語及少數(shù)民族語言的語音合成技術(shù)
17.?漢語及少數(shù)民族語言的人工智能交互界面技術(shù)
18.?漢語及少數(shù)民族語言的智能閱卷技術(shù)
19.?基于數(shù)據(jù)分析的個性化信息推送服務(wù)技術(shù)(基于海量數(shù)據(jù)持續(xù)訓(xùn)練優(yōu)化的用戶個性化偏好學(xué)習(xí)技術(shù)、用戶個性化偏好實時感知技術(shù)、信息內(nèi)容特征建模技術(shù)、用戶偏好與信息內(nèi)容匹配分析技術(shù)、用于支撐推薦算法的大規(guī)模分布式實時計算技術(shù)等)
2.?氨基酸、蛋白質(zhì)、淀粉等重大化學(xué)品的合成技術(shù)3. 可造成重大危害后果的應(yīng)用技術(shù)