[特種氣體]：SK海力士已開發(fā)出采用全球最高層數(shù)321層、1Tb三位元儲存單元（TLC）4D NAND快閃記憶體的UFS 4.1解決方案產(chǎn)品
2025-05-23 16:07
來源：隆眾資訊
作者：牟星子
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近日，SK海力士宣布，已開發(fā)出采用全球最高層數(shù)321層、1Tb三位元儲存單元（TLC）4D NAND快閃記憶體的UFS 4.1解決方案產(chǎn)品，應用于行動裝置領域。與基于 238 層 NAND 的上一代產(chǎn)品相比，最新產(chǎn)品的功率效率提高了 7%，厚度也從之前的1毫米降至0.85毫米，以適應超薄智能手機。
資訊來源：SK hyni
資訊編輯：牟星子
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